今早开盘后15分钟不到，兆易创新涨停封板。

消息面上，公司昨晚披露2022年度日常关联交易预计额度。其中，公司预计明年自有品牌采购代工将达8.6亿元，相较今年1-11月实际发生金额1.89亿元，同比大幅增长。

图|兆易创新2022年度日常关联交易情况预计

兆易创新是国内存储、MCU双龙头。存储方面，公司与合肥长鑫合作，切入DRAM赛道。今年6月，公司首款自研19nm DDR4产品实现量产，主要面向消费性利基市场，17nm DDR3正在研发。

另外，从昨晚公告来看，公司明年还将“不断推出”DRAM自研新产品。

在工艺节点先进性、销售渠道、品牌三方面，兆易创新优势都获得机构青睐，DRAM业务未来将实现快速放量，今明两年有望实现436.8%/55.0%增长，2023年收入规模将达43亿元。

而公司昨晚披露的自有品牌代工采购金额预期也印证了机构此前的看好——代工采购金额的同比大幅增长背后，不难窥出公司自研DRAM获得客户认可，销售进展顺利，正式迈入了“爆发式”放量阶段。

数据显示，在利基型存储芯片中，封测环节成本占比25%-30%，代工70%-75%。也就是说，兆易创新8.6亿的代工采购金额大致对应11.5-12.3亿成本；若假设综合毛利率在30%，则这部分对应营收最高可达17.6亿元。

值得一提的是，国盛证券指出，目前兆易创新自研DRAM单月出货在KK级别，对应晶圆月产量为2000-2500片。预计明后两年其在合肥长鑫的月产能配额将超过1.7万/ 3.1万，提升空间较大，后续公司或将上修关联交易预计额度。

存储芯片价格跌幅收敛行业曙光初现

近几个月来，存储芯片价格“跌跌不休”，不过近期行业前景似乎已开始初现曙光。

据台湾电子时报昨日援引业内人士称，DRAM及NAND闪存的现货价格跌势放缓，预计明年Q1将触底。

具体来看，11月主流8Gb/16Gb DDR4芯片现货价格下降0.7%-1.5%，较10月7%的平均跌幅大大收敛；3D TLC NAND闪存芯片价格跌幅同样缩小，而SLC与MLC NAND芯片已停止下跌。

业内人士预计，明年DRAM整体供应量增幅在5%左右。需求端方面，英特尔第12代酷睿处理器明年有望刺激PC应用需求；服务器需求或在2022年1月中旬开始回升；智能手机中，新款5G机型是否会刺激终端需求仍有待观察。

值得注意的是，元宇宙、汽车智能化也是存储芯片的两大增量空间。

一方面，在VR硬件中，存储是核心之一，占比近三成；另一方面，汽车自动驾驶、智能座舱普及，推动DRAM、NOR Flash等存储器走向ADAS系统与车载信息娱乐系统，带动车规级存储器需求快速增长，机构预计2025年车载存储市场规模将达83亿美元。

（文章来源：财联社）